Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR120NPBF

MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR120N

IRFR120NPBF Hakkında

IRFR120NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim, 9.4A sürekli drain akımı ve 210mOhm (10V, 5.6A'de) on-resistance değerleriyle orta güç uygulamalarına uygundur. DPak (TO-252-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 25nC gate charge ve 330pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren sürücü, kontrol ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Motor sürücüleri, DC-DC konvertörler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. Üretim durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 5.6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok