Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR120
8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR120
IRFR120 Hakkında
IRFR120, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 8.4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 270mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (D-Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve ±20V gate gerilim toleransına sahiptir. Düşük gate charge (16nC) ve input capacitance (360pF) değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun olan bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok