Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR110TRRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR110

IRFR110TRRPBF Hakkında

IRFR110TRRPBF, Vishay tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük on-state direnci (540mOhm @ 2.6A, 10V) sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan IRFR110, -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığında çalışır. Gate charge değeri 8.3nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. Bileşen obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok