Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR110PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR110
IRFR110PBF-BE3 Hakkında
IRFR110PBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim dayanımına ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 540mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine öğesine sahip bu transistör, güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, güç kaynağı tasarımlarında ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama işlemlerine ve verimli enerji dönüştürmeye olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok