Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR110

IRFR110PBF Hakkında

IRFR110PBF, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 4.3A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan IRFR110PBF, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilim (Vgs) aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanıma uygundur. 540mOhm maksimum on-direnci ile ısıl kayıpları minimize eder.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok