Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR1018ETRRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR1018
IRFR1018ETRRPBF Hakkında
IRFR1018ETRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 60V drain-source gerilimi ve 56A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış, TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulmaktadır. Maksimum 8.4mΩ on-resistance ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 110W güç disipasyonu kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel uygulamalara uyguntur. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok