Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR1018E
IRFR1018EPBF Hakkında
IRFR1018EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 56A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8.4mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. 110W güç dağıtımı kapasitesi ile güç elektronikleri, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. TO-252 (DPak) paket tipi kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge değeri onu verimli sürücü devrelerinde tercih edilen bir seçim yapar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok