Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR1018EPBF-INF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR1018E
IRFR1018EPBF-INF Hakkında
IRFR1018EPBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 60V dren-kaynak gerilim (Vdss) ve 56A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (69nC @ 10V) ve 8.4mOhm'luk RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. TO-252 (D-PAK) yüzey montaj paketinde sunulur. MOSFET teknolojisine dayalı bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüsü ve DC-DC dönüştürücü gibi anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 110W'a kadar güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok