Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR1010ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR1010Z

IRFR1010ZTRLPBF Hakkında

IRFR1010ZTRLPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide FET transistördür. 55V Drain-Source gerilim ve 42A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 7.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. DPak (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 140W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok