Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFR1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFR1010Z
IRFR1010ZPBF Hakkında
IRFR1010ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 55V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 7.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 140W güç dissipasyonuna dayanabilen bu MOSFET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 95nC ve giriş kapasitansi 2840pF'dir. Endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2840 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 42A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok