Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFR024NPBF

MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IRFR024N

IRFR024NPBF Hakkında

IRFR024NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 55V drain-source voltaj ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük iletim direnci (75mOhm @ 10A, 10V) ve kompakt tasarımı ile yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 45W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip olan bileşen, anahtar hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici uygulamaları için uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok