Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFPG30

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFPG30

IRFPG30 Hakkında

IRFPG30, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 1000V drain-source voltaj ile 3.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 5Ω on-resistance değerine ulaşır. -55°C ile +150°C arasında çalışan IRFPG30, 125W güç disipasyonuna ve 80nC gate charge değerine sahiptir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürme devreleri ve switch modlu güç kaynakları tasarımında kullanılır. Artık üretilmeyen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok