Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFPE50

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFPE50

IRFPE50 Hakkında

IRFPE50, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 7.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.2Ω (10V, 4.7A'de) on-state direnci ile anahtarlama kaybını minimize eder. 200nC gate şarjı ve 3100pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Güç kaynakları, adaptörler, invertörler ve yüksek gerilimli DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok