Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFPE30PBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFPE30

IRFPE30PBF Hakkında

IRFPE30PBF, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim dayanımı ve 4.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 3Ohm on-state direnci (Rds On) ile verimli güç dağıtımı sağlar. TO-247-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve diğer yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 125W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile ısı yönetiminin sağlanması durumunda uzun süreli güvenli çalışma imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok