Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFPE30
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFPE30
IRFPE30 Hakkında
IRFPE30, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 4.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, inverter uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 3Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge 78nC ve 1300pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar. Bileşen şu anda üretim dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok