Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFP4668PBF
MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFP4668
IRFP4668PBF Hakkında
IRFP4668PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 130A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve invertörler gibi yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 9.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 520W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 241 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10720 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 81A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok