Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP451

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP451

IRFP451 Hakkında

IRFP451, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 450V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 180W güç tüketimi kapasitesine sahip olup, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Gate kontrol gerilimi ±20V aralığında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, AC/DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç amplifikatörleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C aralığında çalışabilir ve 400mΩ maksimum on-state direncine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 7.9A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok