Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFP4232PBF
MOSFET N-CH 250V 60A TO247AC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFP4232
IRFP4232PBF Hakkında
IRFP4232PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 250V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 35.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli şekilde çalışabilmekte, 430W maksimum güç harcaması desteklemektedir. -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen cihaz, endüstriyel invertörler, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve kaynak uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 430W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35.7mOhm @ 42A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok