Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFP4229PBF
IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFP4229
IRFP4229PBF Hakkında
IRFP4229PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajı ve 44A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 46mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 310W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile anahtarlama devreleri, motor kontrol, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında yer alır. TO-247-3 through-hole paketinde temin edilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok