Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP362

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP362

IRFP362 Hakkında

IRFP362, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source voltajında 20A sürekli akım kapasitesine sahip olup, TO-247-3 through-hole paketinde sunulmaktadır. 250mOhm maksimum on-state direnci ve 250W güç tüketim kapasitesi ile anahtarlama ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilen bu transistör, düşük gate charge (100nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, invertör ve PWM uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok