Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP352

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP352

IRFP352 Hakkında

IRFP352, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 400V Drain-Source gerilimi ve 14A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapar. 180W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmış olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir ve 400mΩ maksimum on-direnci özellikleri sayesinde verimli iletkenlik sağlar. TO-247-3 paket tipi ile montajı deliğe takma şeklindedir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok