Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP351

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP351

IRFP351 Hakkında

IRFP351, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 350V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu transistör, 180W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 10V drive voltajında 300mOhm on-state direnç değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge değeri 130nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, inverterler ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok