Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFP350A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFP350A
IRFP350A Hakkında
IRFP350A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi, 17A sürekli drain akımı ve 202W güç tüketim kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 300mΩ maksimum drain-source direnci (Rds On) düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge 131nC @ 10V ve input capacitance 2780pF @ 25V özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç denetimi, motor kontrolü, switching power supplies ve inverter devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. TO-3P paketinde gelen komponent, through-hole montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 202W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok