Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP26N60L

MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP26N60L

IRFP26N60L Hakkında

IRFP26N60L, Vishay tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 600V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, şarj cihazları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 250mOhm maximum on-direnci ile enerji verimliliğini destekler. ±30V gate voltajı aralığında ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Through-hole montajı ile PCB'lere doğrudan lehimlenebilir. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5020 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 470W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok