Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP254BFP001

25A, 250V, 0.14OHM, N-CHANNEL PO

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
IRFP254

IRFP254BFP001 Hakkında

IRFP254BFP001, Rochester Electronics tarafından üretilen 25A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 250V Drain-Source gerilim derecesinde çalışabilen bu bileşen, 140mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde optimize edilen transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. TO-3P-3 through-hole paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 221W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 221W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok