Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP254B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
IRFP254

IRFP254B Hakkında

IRFP254B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajına ve 25A sürekli drain akımına dayanıklı tasarımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalar için uygundur. 123nC gate charge ve 3400pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 221W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok