Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFP251
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFP251
IRFP251 Hakkında
IRFP251, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 180W güç dağılımını tolere edebilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok