Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP250MPBF

MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP250M

IRFP250MPBF Hakkında

IRFP250MPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal güç MOSFET'idir. 200V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 75mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 214W güç saçabilen bu MOSFET, anahtar modlu güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç dönüşüm uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate-source gerilimi ile uyumludur ve 10V sürme gerilimi altında optimum performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2159 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok