Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP243

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP243

IRFP243 Hakkında

IRFP243, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 150V Drain-Source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 220mOhm maksimum on-state direnci ile enerji dönüştürme uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir operasyon yapabilen IRFP243, güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş tasarımı, hızlı anahtarlama ve düşük gate charge özellikleri sayesinde modern switching uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1275 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok