Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP153

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP153

IRFP153 Hakkında

IRFP153, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 60V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel motor kontrol devreleri, DC/DC konvertörler, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan IRFP153, 180W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok