Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP048NPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP048N

IRFP048NPBF Hakkında

IRFP048NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 55V Drain-Source gerilimi ve 64A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 16mOhm düşük on-resistance değeri ile ısı kaybı minimize edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Gate charge karakteristiği düşük sürüş gereksinimini sağlar. TO-247-3 through-hole paketlemesi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Switch mode güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC konverterler gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 37A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok