Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFP044NPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IRFP044N

IRFP044NPBF Hakkında

IRFP044NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 55V Drain-Source voltaj ve 53A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, TO-247-3 paketinde sunulur ve endüstriyel, otoomotiv ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 53A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 29A, 10V
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok