Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFNL210BTA-FP001

MOSFET N-CH 200V 1A TO92L

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
IRFNL210BTA

IRFNL210BTA-FP001 Hakkında

IRFNL210BTA-FP001, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-92L paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate sürme geriliminde maksimum 1.5Ohm on-direncine (Rds On) sahiptir. Gate yükü 9.3nC ve giriş kapasitansi 225pF olarak belirtilmiştir. Düşük güç uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve kontrol elektroniklerinde kullanılan bu MOSFET, 3.1W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Through-hole montajı tercih edilen tasarımlarda uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-92L
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok