Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFNL210BTA-FP001
IRFNL210 - POWER MOSFET, N-CHANN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFNL210
IRFNL210BTA-FP001 Hakkında
IRFNL210BTA-FP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 1.5Ω maksimum açık-devre direnci sunarak düşük kayıp işletme sağlar. 225pF giriş kapasitansı ve 9.3nC gate yükü hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Through-hole TO-92L paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor kontrol devresi ve aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92L |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok