Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFN214BTA_FP001
MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFN214BTA
IRFN214BTA_FP001 Hakkında
IRFN214BTA_FP001, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 600mA sürekli drain akımı ile çalışır. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve RF amplifikatörlerinde kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile 2Ω maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1.8W güç tüketebilir. Through-hole montajı ile PCB tasarımlarına kolayca entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok