Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFM220BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRFM220

IRFM220BTF Hakkında

IRFM220BTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ile endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Surface mount TO-261-4 paketinde sunulan bu bileşen, 1.13A sürekli dren akımı, 800mOhm on-direnç ve geniş -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 10V sürücü geriliminde 16nC kapı yükü ve 390pF input kapasitansı hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 570mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok