Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFM210BTF_FP001

MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRFM210

IRFM210BTF_FP001 Hakkında

IRFM210BTF_FP001, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim (Vdss) ve 770mA sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip olup, SOT-223-4 yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 9.3nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Enerji yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama regülatörleri ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. ±30V maksimum gate-source gerilim ile güvenli tasarım sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 770mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 390mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok