Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFM210BTF
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFM210
IRFM210BTF Hakkında
IRFM210BTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim kapasitesi ile 770mA sürekli dren akımı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 1.5Ω maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. Surface Mount TO-261-4 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Maksimum 2W güç saçınımı kapasitesi bulunur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılan bir transistör türüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 770mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 390mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok