Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFM120ATF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFM120A
IRFM120ATF Hakkında
IRFM120ATF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ve 2.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 200mΩ maksimum kapalı durum direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount SOT-223-4 paketinde sunulan bu transistör, switching uygulamaları, motor kontrol, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.4W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.15A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok