Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFM120A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFM120A
IRFM120A Hakkında
IRFM120A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V Drain-Source geriliminde 2.3A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bir yüksek geçiş hızlı anahtarlama elemanıdır. 10V gate sürme geriliminde 200mΩ maksimum gate açısında dirençe (Rds On) sahiptir. SOT-223-4 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, güç invertörleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan endüstriyel bir transistördür. 22nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.15A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok