Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFL9110PBF
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFL9110
IRFL9110PBF Hakkında
IRFL9110PBF, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 1.1A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılan bu transistör, hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans özellikleriyle dikkat çeker. ±20V maksimum gate gerilimi ile çeşitli kontrol devresine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 660mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok