Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFL4315PBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRFL4315

IRFL4315PBF Hakkında

IRFL4315PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, 10V gate sürüm geriliminde 185mOhm maksimum on-direnci ile çalışır. Surface mount SOT-223 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük gate charge (19nC @ 10V) ve 420pF input kapasitansi özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç denetimi, motor kontrolü, switch-mode power supply ve gerilim regülatörleri gibi uygulamalarda kullanılan güvenilir bir anahtarlama elemanıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok