Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFL210PBF

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRFL210

IRFL210PBF Hakkında

IRFL210PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 960mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-223 yüzey montajlı paket içinde gelen bu bileşen, 1.5Ω maksimum kapalı durum direnci ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Gate gerilimi ±20V arasında çalışabilir ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılmaya uygundur. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. Maksimum 2W güç tüketim kapasitesiyle düşük güçlü uygulamalara uygun bir çözüm sağlar. Dikkat: Parça kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 960mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok