Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFL110PBF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRFL110

IRFL110PBF Hakkında

IRFL110PBF, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi ve 1.5A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, Surface Mount teknolojisinde SOT-223 paketinde sunulmaktadır. 10V kapı geriliminde 540mΩ maksimum dren-kaynak direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. 2W (Ta) ile 3.1W (Tc) arasında güç dağıtabilir. Gate charge değeri 8.3nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok