Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFL1006PBF
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFL1006
IRFL1006PBF Hakkında
IRFL1006PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 220mΩ maksimum gate-source direnci (10V beslemede) ve 1W maksimum güç dağılımı ile sürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sensör arabirimleri gibi alanlarda yer alır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 8nC gate yükü ve 160pF giriş kapasitanslı yapısı hızlı anahtarlama özelliğine imkan tanır. (Not: Parça üretimi sonlandırılmıştır)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok