Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFL014NPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFL014N
IRFL014NPBF Hakkında
IRFL014NPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 160mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama ve motor kontrol devrelerinde, küçük sinyallerin amplifikasyonunda ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 1W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü gerilimi ile lojik seviye sinyallerle kolayca yönetilebilir. Düşük input kapasitansi (190pF @ 25V) hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok