Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFL014NPBF

MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
IRFL014N

IRFL014NPBF Hakkında

IRFL014NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilim ve 1.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT223 yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 160mOhm (10V, 1.9A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 1W maksimum güç dağılımı ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı lojik seviyesi MOSFET uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok