Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFIZ48NPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFIZ48N

IRFIZ48NPBF Hakkında

IRFIZ48NPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 55V drain-source voltajı ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-direnci (16mOhm @ 22A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 54W maksimum güç dissipasyonu ve 89nC gate charge değerleri yüksek hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok