Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFIBF30G

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFIBF30G

IRFIBF30G Hakkında

IRFIBF30G, Vishay tarafından üretilen 900V N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 1.9A sürekli dren akımı ve 3.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme devrelerinde, invertörler, AC-DC adaptörler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığına sahip olup, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. 35W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde orta güçlü uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok