Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFIBF20G

MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFIBF20G

IRFIBF20G Hakkında

IRFIBF20G, Vishay tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.2A sürekli dren akımı ve 8Ω maksimum RDS(on) değeri ile çalışır. Maksimum 30W güç tüketimi kapasitesine sahip olan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Yüksek voltaj uygulamaları, güç denetim devreleri, anahtarlama uygulamaları ve elektrik motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. 38nC gate charge değeri ve 490pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Through-hole montajı ile PCB tasarımında kolay integrasyon imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 720mA, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok